Тайваньские исследователи из компании Macronix создали флэш-память, талантливую противостоять процессу износа, информирует IEEE Spectrum. В базе разработки лежит свойство ячеек памяти восстанавливаться под действием больших температур. Исследователи внесли предложение подвергнуть ячейки кратковременному сильному нагреванию (пара миллисекунд при температуре 800 градусов Цельсия). Утверждается, что по окончании таковой процедуры количество циклов перезаписи чипов флэш-памяти MLC NAND возрастет с 10 тысяч до ста миллионов и более.
Смотрите кроме этого: Кратко о новом: Samsung запускает производство 3-битной MLC NAND памяти емкостью 128 Гбит на базе 10-нм техпроцесса
Samsung Electronics заявила о начале массового производства 3-битных MLC NAND чипов памяти емкостью 128 Гбит с применением 10-нанометрового технологического процесса уже в апреле. Высокоразвитый чип разрешит действенно внедрять память высокой плотности в такие решения, как встраиваемые NAND-хранилища и твердотельные SSD-накопители. Новая NAND флэш память на 128 ГБ может похвалиться большим уровнем производительности — скорость передачи данных образовывает 400 МБ/с, и помощью интерфейса Toggle DDR 2.0.
Нагреватели было решено расположить прямо на схеме так, дабы любой из них охватывал только маленькую группу ячеек. Вводить в воздействие нагреватели планируется поочередно. Наряду с этим устройство, в котором задействована плата, — к примеру, смартфон, — должно быть подключено к источнику питания, но наряду с этим пребывать в неактивном состоянии.
Более детально поведать о разработке исследователи из Macronix планируют на конференции IEDM, которая пройдёт в Сан-Франциско 10-12 декабря.
Флэш-память употребляется в мобильных устройствах, SSD-дисках, USB-накопителях. Существуют разные способы продления срока ее работы. Один из них, названный Wear levelling (Нивелирование износа) подразумевает поочередное применение всех сегментов памяти вместо постоянной работы с одними и теми же ячейками.
Источник: lenta.ru