Toshiba, ibm и amd приблизились к 22-нм технологии еще на шаг

Posted by onlinetorg on in Новости гаджетов

Компании Toshiba, IBM и AMD создали элемент статической памяти с произвольной выборкой (Static Random Access Memory – SRAM), площадь которого образовывает всего 0,128 кв. мкм. Новый элемент более чем на 50% меньше собственного прошлого аналога, площадь которого составляла 0,274 кв. мкм, и есть самым миниатюрным из когда-либо созданных, сообщается в пресс-релизе.

Ячейка создана по полупроводниковой разработке High-K/Metal Gate («изолирующий слой с высокой диэлектрической проницаемостью/железный затвор») и владеет рядом преимуществ перед элементами на базе планарных полевых транзисторов – с позиций возможностей их применения в электронных устройствах будущих поколений. Дело в том, что производители микросхем при создании элементов SRAM с применением простых планарных транзисторов, в большинстве случаев, корректируют свойства материалов методом добавления разных примесей либо присадок. Эта методика ухудшает стабильность работы SRAM. Данный эффект делается очень критичным при применении 22-нм (и ниже) норм технологического процесса изготовления чипов. Применение FinFET-транзисторов есть другим подходом, разрешающим добиться уменьшения площади элементов памяти с минимальным трансформацией черт.

Toshiba, ibm и amd приблизились к 22-нм технологии еще на шаг

Ячейка SRAM-памяти площадью 0,128 кв. мкм (обведена пунктиром)

Микромодули SRAM являются элементами большинства широкомасштабных интегральных схем системного уровня, таких как процессоры. Более миниатюрные элементы SRAM возможно помогут появлению меньших по размеру и более стремительных процессоров, каковые, к тому же, потребляют меньше энергии. Новая инновационная разработка FinFET есть ответственным шагом к созданию более замечательных и малогабаритных электронных устройств.

Процессоры AMD на 7 нм и самая замечательная Vega представлены официально. 2080 Ti ломаются, но не все.


Похожие статьи: