Компания Samsung сказала о выпуске первого высокоемкого твердотельного накопителя, применяющего в собственной конструкции флеш-чипы DDR (double data rate – удвоенная скорость передачи данных) NAND. Изюминкой флеш-чипов DDR NAND есть более высокая скорость передачи данных – на уровне 133 Мб/с, тогда как у классических флеш-чипов MLC NAND данный показатель находится на уровне 40 Мб/с.
Смотрите кроме этого: Длительность работы флеш-чипов MLC увеличена в 20 раз
Компания Anobit из Израиля объявила выпуск собственного первого продукта, которым стал твердотельный накопитель Genesis. Наряду с этим отмечается, что эта разработка основана на флеш-чипах MLC (multi-level cell) NAND, но по показателям надежности соответствует современным твердотельным накопителям корпоративного класса, произведенным на базе чипов SLC (single-level cell) NAND, каковые отличаются более большой ценой.Так, новинка имеет емкость 200 либо 400 ГБ и снабжает записи и скорость чтения на уровне 220 и 180 МБ/с соответственно.
Новинка выполнена в формфакторе 2,5 дюйма и предназначена для применения в ноутбуках и высокопроизводительных компьютерах. Такое устройство содержат 30-нанометровые флеш-чипы DDR NAND емкостью 32 Гб любой, производство которых было освоено в конце прошлого года. Наряду с этим емкость накопителя может составлять 64, 128, 256 либо 512 ГБ. Кроме этого отмечается, что при производстве данного накопителя используются личные контроллеры Samsung, и firmware собственной разработки. Новинка поддерживает большую скорость чтения на уровне 250 МБ/с и скорость записи – 220 МБ/с. Для подключения к совокупности используется интерфейс SATA2 (скорость передачи данных до 3 Гб/с). Представленное устройство поддерживает функцию аппаратного 256-битного AES шифрования и команду TRIM в ОС Windows 7.
Ожидается, что массовое производство твердотельных накопителей на базе флеш-чипов DDR NAND начнется в следующем месяце, по окончании чего они поступят в продажу. Уровень стоимостей таких устройств пока не сообщается.
Создатель: ITC.UA