Недорогая и плотная 3d-память стала ближе на один шаг

Applied Materials сказала о серьёзной разработке в области производства флэш-памяти — создании новой совокупности травления полупроводников, которая разрешает вырабатывать трехмерные структуры, снабжающие более высокую плотность записи данных в единице объёма и площади.

Согласно данным пресс-службы компании, новая совокупность, называющиеся Applied Centura Avatar, разрешает создавать чипы флэш-памяти с максимум 64 уровнями, расположенными вертикально. Речь заходит о памяти NAND — самом популярном типе памяти в современной мобильной электронике, включая планшеты и смартфоны. Данный же тип памяти употребляется в SSD-накопителях, которыми оснащаются набирающие популярность ультрабуки.

В компании говорят, что новая производственная разработка решает множество неприятностей, с которыми сталкиваются поставщики, заинтересованные в выпуске 3D-чипов. В это же время, многослойные чипы уже существуют — в них готовые слои накладываются друг на друга. При с Centura Avatar речь заходит об изготовлении объемной структуры изначально, выделили в Applied Materials .

В соответствии с представленной информации, новая разработка разрешает достигнуть большой экономии. Так, к примеру, при применении 3D-памяти NAND переход от 100-нм к 60-нм техпроцессу разрешает сократить производственные издержки практически на порядок.

В компании не говорят, в то время, когда 3D-чипы, каковые разрешает создавать Centura Avatar, возможно будет отыскать в коммерческих устройствах. Частично по причине того, что само оборудование для производства таких микросхем до тех пор пока много стоит.

Applied Materials — интернациональная компания с конторами в Соединенных Штатах, Канаде, Китае, Европе, Малайзии, Сингапуре, Японии, Корее и Тайвани. В компании трудится около 12,9 тыс. сотрудников. Кроме полупроводниковой сферы, она специализируется на оборудовании для выпуска дисплеев, солнечных батарей и программном обеспечении для автоматизации.

Видеоплата с 2TB памяти! Для чего ей столько?


Похожие статьи: