Ibm совершила очередной шаг по направлению к 32-нм технологии

Альянс производителей полупроводников во главе с американской корпорацией IBM представил один из первых в индустрии чипов, выполненный по 32-нм разработок, демонстрирующий большие преимущества в плане производительности и потребляемой мощности если сравнивать с современными стандартами.

Чип был изготовлен на заводе IBM в городе Ист Фишкилл, штат Нью-Йорк, на подложке диаметром 300 мм. Создание микрочипа произошло благодаря применению нового материала называющиеся high-k/metal gate (HKMG).

В следствии опыта было обнаружено, что новый чип трудится до 35% стремительнее если сравнивать с современными полупроводниками на базе 45-нм технологии, функционирующими на таком же напряжении. Наряду с этим, в зависимости от величины напряжения, энергопотребление 32-нм чипа возможно на 30-50% меньше если сравнивать с современными микросхемами. Более того, было обнаружено, что этот чип трудится до 40% стремительнее если сравнивать с таким же чипом на базе материала Poly/SiON.

Вместе с IBM в создании участвовали Chartered, Freescale, Infineon Technologies, Samsung, STMicroelectronics и Toshiba, входящие в альянс.

Поставку прототипов первых 32-нм микросхем планируется начать в III квартале 2008 г. Начало массового производства таких чипов ожидается в 2009 г. Последовательность тестов, совершённых в исследовательской лаборатории в Албани, штат Нью-Йорк, продемонстрировал, что в конечном итоге применение материала HKMG разрешит создавать транзисторы с размером 22 нм.

Корпорация Intel кроме этого ведет создание 32-нм процесса и уже продемонстрировала первые чипы. Ожидается, что к массовому производству аналогичных чипов Intel готовься в 2010 г. В альянс чипмейкеров во главе с IBM корпорация Intel не вошла. В свое время представители Intel объявили, что они смогут всецело освоить 32-нм техпроцесс без чьей-либо помощи.

Чьим нанометрам возможно верить, из-за чего задержалась Vega и для чего майнерам особенные видеоплаты?


Похожие статьи: